根据招股说明书，锴威特本次拟登陆上交所科创板，拟公开发行股票数量不超过1,842.1053万股（不含采用超额配售选择权发行的股票数量），且不低于发行后总股本的25%。

　　锴威特本次拟募集资金约5.3亿元，用于智能功率半导体研发升级项目、SiC功率器件研发升级项目、功率半导体研发工程中心升级项目、补充营运资金。

　　其中，智能功率半导体研发升级项目主要涉及公司的主营产品功率器件、功率IC、IPM、光继电器（Photo MOS）等系列产品的技术升级、工艺制程优化及部分新品类的研发及规模化量产。

　　功率器件主要包括高可靠性高压平面MOSFET（包括FRMOS）、第三代超结MOSFET（SJMOS-FD）、40V-200V屏蔽栅MOSFET产品；功率IC包括高压高速栅极驱动IC、高功率密度电源管理IC产品。

　　该项目实施旨在继续加强公司在功率半导体产品的技术积淀，保持在功率器件、功率IC、IPM、光继电器（Photo MOS）产品的领先优势，挖掘高性能智能功率半导体的发展潜力，打造全系列产品的技术创新平台，致力于成为市场一流的高性能、智能化功率半导体供应商。

　　锴威特是上市公司甘化科工的参股公司。据甘化科工在2021年年报，锴威特在2021年共实现营业收入2.10亿元，同比2020年的1.32亿增长了59.29%；净利润为4,356.17万元，同比成功扭亏。

　　财务数据显示，公司2019年、2020年、2021年营收分别为1.07亿元、1.37亿元、2.10亿元;同期对应的归母净利润分别为933.81万元、-1966.86万元、4847.72万元。

　　2017年至今，锴威特完成了多轮融资，投资方包括大唐电信、国经资本、光荣资产、招商资本、邦盛资本、禾望电气、悦丰金创、张家港金茂创投。

　　据介绍，公司产品广泛应用于消费电子、工业控制及高可靠领域，现已形成包括平面MOSFET、快恢复高压MOSFET（FRMOS）、SiC功率器件、智能功率IC等近700款产品。

　　SiC方面，锴威特自2018年下半年开始研发SiC功率器件，积极布局第三代半导体，掌握了“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”等核心技术，形成了“一种集成肖特基二极管的短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”等发明专利储备。

　　目前锴威特SiC功率器件产品主要包括SiC MOSFET和SiC SBD，目前公司SiC MOSFET已形成650V-1700V四个电压规格的产品系列，SiC SBD已形成600V-1200V电压规格的产品系列。公司是国内为数不多的具备650V-1700V SiC MOSFET设计能力的企业之一，产品已覆盖业内主流电压段。（文：化合物半导体市场 Cecilia整理）

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